联电新加坡扩建22/28nm，里程碑

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晶圆代工大厂联电位于新加坡的新12吋厂Fab 12i今（21）在举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批机台设备已到厂。联电表示，此次新加坡扩厂象征公司扩产计画已进入重要里程碑。这座新厂预定2026年初开始量产，将成为新加坡最先进的晶圆厂之一，也是联电因应地缘政治风险、海外布局重要一环。

今日举行的上机典礼由新加坡经济发展局（EDB）、新加坡裕廊集团（JTC）、微电子研究院（IME）、相关建厂合作伙伴以及关键设备和材料供应商代表出席。

联电赴新加坡启动第三期扩建是在2022年2月宣布此一投资计画，联电稍早在法说会透露，新加坡Fab 12i的第三期新厂硬体建物将依计画于今年中完成，不过稍早因半导体产业进入库存调整，联电配合客户订单调整，将装机时间延后半年，量产时间将自原订的2025年中，延后至2026年初。

随半导体景气库存调整进入尾声，景气下半年回升讯号明显，联电此时举行上机典礼，也意谓联电将因应客户端需求回温，于新加坡Fab 12i开始装机，迎接明年景气明确复苏。

新加坡Fab 12i当时规划月产能为3万片，将提供22/28纳米制程，总投资金额为50亿美元，但初期会视市场状况逐步拉升产能。

联电新加坡新厂预计在今年第二季末完成，2025年初量产，第一阶段月产能上看2至3万片晶圆。公司表示，本月底法说会将公布全年资本支出规模，然由于新加坡建厂案将进入支付高峰，再加上其余各厂也都有例行产能扩增，今年资本支出确定高过去年的30亿美元规模。

法人预估，联电资本支出连四年增长，显示在看好半导体前景下，公司持续扩充营运布局。

联电近年来持续进行产能扩建及强化特殊制程，年度资本支出呈三级跳走势，2020～2022年资本支出从10亿美元、15亿美元快速拉高至27亿美元，2023年更持续增加至30亿美元，今年在新加坡厂加速建厂下，全年资本支出料将持续攀升。

联电于2023年扩充台南P6 28/22纳米制程，预估今年第三季月产能上看至3.15万片。至于新加坡厂，预估今年上半年完成无尘室建置，2025年初量产。

联电表示，去年全球半导体市况虽然下滑，但全年资本支出约30亿美元计画不变，其中9成用于12吋产能、1成用于8吋产能。

联电指出，新加坡厂建厂预计投入资金约30至40亿美元，第一阶段将规划月产2万片的产能，预计今年该厂的建厂支付今年才要迈入最高峰，另外，该公司也表示，除了新加坡厂之外，长期以来，联电旗下各厂每年也都维持一定的产能扩充规划，再加上设备自动化提升、软硬体的更新及续约，均是推升联电资本支出的重要原因。

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